蚀刻气体C4F6（蚀刻气体对于纯度的要求）

氩等离子体蚀刻机处理TiO2塑料膜会引入氧空位，蚀刻气体对于纯度的要求水会中和这些氧空位形成OH基团，从而提高TiO2塑料膜的润湿性。氩等离子体处理可有效提高NGT基TiO2塑料薄膜的润湿性。。

等离子体处理通过化学或物理作用对工件表面进行处理，蚀刻气体C4F6反应气体电离产生高反应性离子，与表面污染物发生化学反应进行清洗。反应气体需要根据污染物的化学成分来选择。基于化学反应的等离子体清洗速度快，选择性好，有机污染物的清洗效果较好。等离子体清洗常用氩气，其表面反应是以物理效应为基础的，因此不会产生氧化副产物，蚀刻效果具有各向异性。

低温等离子体的能量通常为几十~几十电子伏(电子0~ 20ev，蚀刻气体对于纯度的要求离子0~ 2ev，亚稳离子0~ 20ev，紫外/可见光3~ 40ev)，而PTFE中C-F键的键能为4.4 eV, C-C键的键能为3.4 eV。可可以看出，低温等离子体的能量高于化学键的能量，足以打破PTFE表面的分子键，从而产生蚀刻、交联、接枝等一系列的物理化学反应。

在等离子体蚀刻中，蚀刻气体C4F6基于等离子体作用的物理蚀刻和基于活性的蚀刻同时进行群作用化学蚀刻。等离子体蚀刻工艺，开始于相对简单的平板二极管技术，已经发展到使用价值数百万美元的模块化室，配备了多频发生器、静电吸盘、外墙温度控制器和各种专门为特定薄膜设计的流量控制传感器。可以蚀刻的电解质是二氧化硅和氮化硅。这两种介质的化学键能很高，一般需要使用氟碳气体(如CF4、C4F8等)产生的高活性氟等离子体对其进行刻蚀。

蚀刻气体对于纯度的要求

等离子清洗机，等离子体的具体应用:等离子清洗机/蚀刻机生产的等离子体装置设置在一个密闭的容器中，两个电极用真空泵形成电场，以达到一定的真空度，随着气体越来越薄，分子之间的距离和自由流动的分子或离子之间的距离也越来越长,电场,它们碰撞,形成等离子体,这些离子的活性非常高,它的能量就足以打破化学键,几乎所有在任何暴露面引起的化学反应。

等离子体清洗/蚀刻生产等离子设备设置在密闭容器两个电极形成电磁场,利用真空泵达到一定程度的真空,天然气越来越薄,分子之间的距离和自由流动的分子或离子之间的距离也越来越长,磁场效应，碰撞和等离子体的形成，辉光会同时发生。等离子体在电磁场的空间运动，并轰击被处理物体的表面，从而达到表面处理的效果，清洗和蚀刻等离子体清洗机有以下九个优点:清洗对象经等离子清洗后干燥，无需进一步干燥处理即可送入下道工序。

GST是一种金属合金，任何酸或碱都会造成严重的腐蚀，所以GST等离子蚀刻只能使用低浓度的酸(或碱)湿式清洗剂，对GST蚀刻副产物中含有金属元素的清洗效果较差。因此，介绍了一种等离子体清洗后蚀刻处理技术:在完成GST蚀刻并去除光刻胶后，加入一种短的一步氟化气体作为蚀刻剂(CF4、SF6、NF3等蚀刻配方，通过氟气活化GST蚀刻副产物，可明显提高湿法清洗效果。。

等离子体表面活化是指物体表面经过等离子清洗机处理后可以增强、提高附着力、附着力;等离子清洗机表面蚀刻是指将数据表面反应气体后，对等离子体进行选择性蚀刻，蚀刻后的数据被转换成气相并由真空泵排出，经过处理后的数据比表面产品添加微观且具有良好的亲水性;等离子清洗机纳米涂层是反应气体如:六甲基二硅烷醚(HMDSO)，六甲基二硅烷胺(HMDSN)，四乙二醇二甲基醚，六氟乙烷(C2F6)。

蚀刻气体对于纯度的要求

此外，蚀刻气体对于纯度的要求由于蚀刻和侧壁吸附保护同时进行，特征图案的侧壁变得相当光滑。这种同时蚀刻和保护的过程也加快了蚀刻过程。因此，采用等离子体表面处理器SF6/O2连续等离子体蚀刻硅基板的工艺称为标准超低温工艺。精确控制含有SiOxFy无机副产物的保护层形成图形侧壁将是标准超低温蚀刻工艺的关键步骤。

主控板和传感器板可以与刚性慢板集成，蚀刻气体对于纯度的要求解决了很多问题，也满足了桶式机的结构设计要求。2、刚性慢板的设计要点:A、需要考虑柔性板的弯曲半径，弯曲半径太小会容易损坏。B、有效减少总面积，优化设计降低成本。安装后的三维空间结构需要考虑。为了更好的设计，有必要考虑柔性部件接线的层数。考虑到未来3D打印的发展，是否有可能打印出奇怪的PCB?避免FPC或僵硬的慢板弱点。安装更方便，可靠性更高，外形更任意，不易损坏。